반도체, 다이아몬드 연마 등에 사용되는 알루미나 세라믹 웨이퍼 연마 및 사파이어 래핑 디스크로
공정: CMP 화학 기계 연마, 기계 연마, 정밀 연마와 같은 모든 유형의 연마 및 래핑 공정.
고순도 및 화학적 내구성
높은 기계적 강도 및 경도
높은 내식성
고전압 저항
최대 1700ºC의 고온 내성
극도의 내마모성 성능
우수한 절연 성능
Size 180,360, 450, 600mm 등 전 기종
상품명 | 99.7 고순도 알루미나 세라믹 연마 래핑 디스크 |
재료 | 99.7% 알루미나 |
보통 크기 | D180, 360, 450, 600mm, 맞춤형 크기 허용. |
색상 | 상아 |
애플리케이션 | 반도체 산업의 Wafer 및 Sapphire CMP 공정 |
최소 주문 | 1화 |
단위 | 99.7 알루미나 세라믹스 | ||
일반 속성 | Al2O3 함량 | 중량% | 99.7-99.9 |
밀도 | gm/cc | 3.94-3.97 | |
색상 | - | 상아 | |
수분 흡수 | % | 0 | |
기계적 성질 | 굽힘 강도(MOR) 20ºC | MPa(psix10^3) | 440-550 |
탄성 계수 20ºC | GPa(psix10^6) | 375 | |
비커스 경도 | GPA(kg/mm2) R45N | >=17 | |
굽힘 강도 | GPA | 390 | |
장력 강도 25ºC | MPa(psix10^3) | 248 | |
파괴 인성(KI c) | MPa* m^1/2 | 4-5 | |
열적 특성 | 열전도율(20ºC) | w/mk | 30 |
열팽창 계수(25-1000ºC) | 1x 10^-6/ºC | 7.6 | |
열 충격 저항 | ºC | 200 | |
최대 사용 온도 | ºC | 1700년 | |
전기적 특성 | 유전체 강도(1MHz) | 교류-kv/mm(교류 v/밀) | 8.7 |
유전율(1MHz) | 25ºC | 9.7 | |
체적 저항률 | 옴-cm (25ºC) | >10^14 | |
옴-센티미터(500ºC) | 2×10^12 | ||
옴-센티미터(1000ºC) | 2×10^7 |
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