반도체 분야에 사용되는 알루미나 세라믹 웨이퍼 연마 및 사파이어 래핑 디스크, 다이아몬드 연마 등과 같이.
공정: CMP(화학기계연마), 기계연마, 정밀연마 등 모든 종류의 연마 및 래핑 공정.
높은 순도와 화학적 내구성
높은 기계적 강도 및 경도
높은 내식성
고전압 저항
최대 1700ºC의 고온 내성
뛰어난 내마모성 성능
탁월한 단열 성능
180, 360, 450, 600mm 등 모든 사이즈
| 제품명 | 99.7% 고순도 알루미나 세라믹 연마 래핑 디스크 |
| 재료 | 99.7% 알루미나 |
| 일반 크기 | 직경 180, 360, 450, 600mm, 맞춤형 사이즈도 가능합니다. |
| 색상 | 상아 |
| 애플리케이션 | 반도체 산업에서의 웨이퍼 및 사파이어 CMP 공정 |
| 최소 주문량 | 1Pic |
| 단위 | 99.7 알루미나 세라믹 | ||
| 일반 속성 | Al2O3 함량 | 중량% | 99.7-99.9 |
| 밀도 | gm/cc | 3.94-3.97 | |
| 색상 | - | 상아 | |
| 수분 흡수 | % | 0 | |
| 기계적 특성 | 굽힘 강도(MOR) 20ºC | 엠파(psix10^3) | 440-550 |
| 탄성 계수 20ºC | GPa (10^6) | 375 | |
| 비커스 경도 | Gpa(kg/mm2) R45N | >=17 | |
| 굽힘 강도 | 학점 | 390 | |
| 인장 강도 (25ºC) | MPa(psix10^3) | 248 | |
| 파괴 인성(KI c) | MPa* m^1/2 | 4-5 | |
| 열적 특성 | 열전도율(20ºC) | W/mk | 30 |
| 열팽창 계수(25-1000ºC) | 1 x 10^-6/ºC | 7.6 | |
| 열충격 저항성 | 섭씨 | 200 | |
| 최대 사용 온도 | 섭씨 | 1700 | |
| 전기적 특성 | 절연 강도 (1MHz) | AC-kV/mm(AC V/mil) | 8.7 |
| 유전 상수(1MHz) | 25ºC | 9.7 | |
| 체적 저항 | 옴-cm (25ºC) | >10^14 | |
| 옴-cm (500ºC) | 2×10^12 | ||
| 옴-cm (1000ºC) | 2×10^7 |
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